引言

随着电动汽车的普及，车载充电机OBC（车载充电电源转换器）中的功率器件——SiC MOSFET（绝缘栅双极型晶体管）的安全性和可靠性问题日益凸显。近期，部分国产SiC MOSFET在车载OBC中频繁出现“爆雷”现象，引发了业界的广泛关注。本文将深入剖析这一问题的本质原因，并探讨相应的解决之道。

一、栅氧可靠性的深度解析

栅氧工艺和电性能指标之间的矛盾是导致国产SiC MOSFET“爆雷”的根本原因之一。为了降低成本、追求更高的电性能，部分厂商在工艺条件受限的情况下，持续减薄栅氧厚度，从而牺牲了器件的可靠性。

二、车载OBC场景对栅氧可靠性的极限考验

车载OBC系统面临着高压动态工况的严峻考验。在这样的环境下，SiC MOSFET需要长期承受高频开关和雪崩能量冲击，这对栅氧电场强度提出了更高的要求。然而，部分国产SiC MOSFET在高压下却出现了提前失效的现象。

三、国产厂商的工艺短板与验证不足

除了工艺上的妥协外，部分国产厂商在验证周期和数据透明度方面也存在严重不足。这导致早期设计缺陷未能及时发现和纠正，最终在产品上市后引发了“爆雷”现象。

四、与充电桩行业的对比

相比之下，充电桩行业较早开始了国产SiC MOSFET的规模化应用。由于应用场景相对简单，工艺缺陷在批量使用后暴露得相对较早。而车载OBC领域的国产SiC渗透率仍然较低，验证周期尚未完成，问题爆发相对滞后。

五、行业改进方向

为了解决这些问题，行业需要从以下几个方面进行改进：

1. 工艺优化：采用先进的氮退火、场板结构等技术降低栅氧电场强度；或者引入高k介质替代传统SiO₂，提高器件的耐压性能。

2. 数据透明化：公开TDDB和HTGB的原始测试数据，提升车规级认证的可信度；同时，建立完善的数据追溯体系，确保每一款产品的可靠性都能得到有效保障。

3. 产业链协同：持续开发和优化栅氧工艺，加强上下游企业之间的合作与交流，共同推动车载SiC MOSFET技术的进步。

结语

车载充电机OBC中部分国产SiC MOSFET“爆雷”的本质原因在于追求低成本而过度妥协工艺和可靠性。要解决这一问题，需要行业共同努力，通过工艺升级、数据透明化和全产业链协同等方式实现从“低价替代”到“高可靠车规级”的跨越。只有这样，才能真正推动车载SiC MOSFET技术的健康发展，为电动汽车的普及提供有力支持。